2003-07-21 拓墣產業研究院

通訊晶片各材料製程比較

圖表資料 IC產品設計 IC製造與封測

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摘要

SiGe高頻特性良好，適合RF電路設計，電流驅動力高，元件雜訊特性良好，電路整合性高，適合系統單晶片設計，並可在CMOS的基礎下發展，直接運用現行的矽材料的晶圓廠，開發費用和投資設備費用可以大幅節制，確實展現出一極具潛力的利基市場。

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